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제9회 1nside Edge 논문대상
▶ 응모대상
- 국내외 대학(원)생 및 Post Doc으로 공학관련 순수 또는 응용기술논문 작성 가능자 (※ 전공제한 없음, Post Doc의 경우 학교 소속인 자에 한함)
- 제출논문의 경우, 논문 접수 마감일을 기준으로 국내외 공개 출판물에 발표되지 않은 논문
▶ 운영일정
- 논문 초록 접수 : 6/17(월) ~ 8/9(금)
- 초록 심사 결과 발표 : 9/2(월)
- 논문 본문 접수 : 9/2(월) ~ 10/11(금)
- 본문 심사 결과 발표 : 11/4(월)
- 발표 심사 : 11/18(월)
- 최종 수상자 발표 : 11/20(수)
- 시상식 : 11/22(금)
▶ 공모주제
1. 소재기술
- 고분자, 세라믹, 복합재료, LTCC, 나노재료, 수동/능동소자 내장 기판재료, 자성재료, 유전체재료, Glass 재료, 금속재료, 압전재료, 박막 공정, 인쇄회로 기판 공정 (도금, 회로, 가공, bumping 等)
2. 무선고주파
- RF IC, Analog/Mixed signal IC, Digital IC, SoC for wireless applications, Wireless power transmission, Wireless communication system, PHY and MAC, Communication software
3. 센서& 모듈
- MEMS 공정, MEMS Device(가속도 센서, 자이로센서, 압력센서, 마이크로 폰), 지자기센서, MEMS PKG, 구조/진동 해석, 센서 신호처리(ASIC), 보정기술(Calibration), SNR, 액츄에이터, Touch sensor용 투명전극 재료 및 공정, 투명 방습 재료, 글래스 강화 및 가공 기술, Touch sensor IC설계, Touch sensor 신기능, 펜 입력장치, UI/UX 기술
카메라모듈(이미지센서 설계, 평가 및 회로구성, 광학계 설계 및 계측, 렌즈 및 렌즈 금형 설계, 영상처리기술)
4. 전력전자
- (모터포함) Display Power용 전력전자 기술, 대용량/고밀도 SMPS용 전력전자 기술, 신재생 에너지용 전력전자 기술, 방열/EMI/Surge/소음 설계기술, SMPS 고효율 Topology 및 제어기술, SMPS Simulation Technology, 고밀도 트랜스 설계기술, Slim 및 고밀도 Power 기술, Digital Power 기술, Power ASIC Circuit Design 기술, 전력반도체 설계 및 응용기술, Battery Management 기술, Motor 제어기술, PWM 알고리즘, 인터버 설계 및 응용기술, 역률보정 회로 및 제어기술, DSP/MCU 응용기술, Brushless 모터 전자계 설계, Hydrodynamic Bearing 기술, Rotor Dynamic 기술
5. 기반기술
- 열/유체 해석, 구조/진동 해석, 전자장/RF/회로/EMI 해석, 광학/광소자 해석, 재료 해석, 분자모델링, Multi-Physics 해석, Multi-scale 해석, Molecular dynamics simulation, 나노 형태/성분 표면 분석, 유기/무기 화학 정량 정성 분석, 고분자 특성 분석, 결정구조 및 재료 물성 분석, 레이저 분광/계측/가공, 마이크로 소자 고장분석 및 신뢰성 향상 기술, 원자 탐침 분석 및 전자현미경 등 신 나노분석 평가법 개발
6. 생산기술
- 설비자동화(정밀 motion 제어, 구조해석, 유동해석, 열전달), 측정기술(전기측정, 광학측정, Image Processing), 연속생산(R2R 설비, 코팅/인쇄, 인쇄전자,
정밀가공(금형 설계/가공, Laser 미세가공), 표면처리(도금, 세정, 노광/현상), 생산시스템(MES, 오염/이물 제어, 청전생산)
▶ 시상내역
- 대상(1편) : 1500만원
- 금상(1편) : 700만원
- 은상(6편) : 500만원
- 동상(12편) : 200만원
- 특별상(최다 논문 제출 랩, 최다 수상 랩 / 2편) : 300만원
▶ 문의처
- 삼성전기 1nside Edge 논문대상 사무국
* 전화 문의 : 02-735-1175
* 메일 문의 : inside_edge@samsung.com